半导体金属封装外壳-无锡金属封装外壳-安徽步微

电镀时，镀层金属或其他不溶性材料做阳极，待镀的工件做阴极，半导体金属封装外壳，镀层金属的阳离子在待镀工件表面被还原形成镀层。为排除其它阳离子的干扰，金属封装外壳生产厂家，且使镀层均匀、牢固，需用含镀层金属阳离子的溶液做电镀液，以保持镀层金属阳离子的浓度不变。电镀的目的是在基材上镀上金属镀层，改变基材表面性质或尺寸。电镀能增强金属的抗腐蚀性(镀层金属多采用耐腐蚀的金属)、增加硬度、防止磨耗、提高导电性、光滑性、耐热性和表面美观。

具体的封装形式

SOP/SOIC封装，SOP是英文***all Outline Package 的缩写，即小外形封装。SOP封装技术由1968～1969年菲利浦公司开发成功，以后逐渐派生出SOJ(J型引脚小外形封装)、TSOP(薄小外形封装)、VSOP(甚小外形封装)、SSOP(缩小型SOP)、TSSOP(薄的缩小型SOP)及SOT(小外形晶体管)、SOIC(小外形集成电路)等。

DIP封装，DIP是英文 Double In-line Package的缩写，即双列直插式封装。插装型封装之一，引脚从封装两侧引出，封装材料有塑料和陶瓷两种。DIP是***普及的插装型封装，应用范围包括标准逻辑IC，无锡金属封装外壳，存贮器LSI，微机电路等。

金属封装中Cu基复合材料的结构是什么样的？其中有什么隐含的问题。

铜-金刚石复合材料被称之为Dymalloy。这种复合材料具备很好的热物理性能和机械性能，试验表明金刚石的体积分数为55％左右时，在25-200℃的热导率为600W(m-1K-1)左右，金属封装外壳加工，比铜还要高，而它的CTE为5．48×10-6-6．5×10-6K-1，可与Si、GaAs的CTE相匹配。这种材料已由美国Lawrence Livermore***实验室与Sun Microsystems公司丌发作为多芯片模块(MCM)的基板使用。2002年6月口本Somitomo Electric Industries(SEl)公司也开发出铜—金刚石复合材料，取名为Diamond-Metal-Composite for Heat Sink(DMCH)。